🔬 Авторы работы, опубликованной в Nature, продемонстрировали переключение магнитного порядка электрическим током в нанометровых антиферромагнитных туннельных переходах PtMn₃|MgO|PtMn₃. При комнатной температуре их туннельное магнитосопротивление составило 363 %. Результат показывает возможность электрически менять и считывать состояние таких устройств без суммарной намагниченности и открывает путь к миниатюрной магнитной памяти.
В туннельных переходах на основе ферромагнетиков туннельное магнитосопротивление позволяет электрически считывать магнитный порядок, а перенос спинового момента — управлять им. Долгое время считалось, что оба эффекта будут малы в полностью антиферромагнитных переходах, поскольку у них нет суммарной намагниченности. Недавно в переходах на основе хиральных антиферромагнетиков обнаружили магнитосопротивление, но возможность переключать их током оставалась под вопросом.
Теперь исследователи продемонстрировали такое переключение при плотности тока порядка 100 млрд А/м². Они назвали эффект переносом спинового момента, обусловленным магнитным октуполем, — OTT. Теоретическая модель авторов объясняет его дисбалансом спиновых токов внутри магнитных подрешёток и между ними. Эквивалентное описание связывает эффект с ненулевой суммарной октупольной поляризацией каждого слоя PtMn₃.
✅ Авторы рассматривают результат как путь к уменьшению размеров магнитной памяти и терагерцевым технологиям, работающим при комнатной температуре. Пока переключение продемонстрировано для конкретной структуры PtMn₃|MgO|PtMn₃; перечисленные применения остаются перспективой.
